台积电2奈米制程将在2023年风险试产，但蓝色巨人IBM抢先在6日发表全球首创2奈米芯片制程技术，外界担忧是否威胁台积电晶圆代工霸主地位，专家指出，IBM采用全新环绕闸极（GAA）架构，可望加速GAA量产时程，也可能给台积电带来竞争压力，不过无法撼动晶圆代工龙头地位。

路透报导，IBM全球首推2 奈米制程芯片，约500亿个电晶体放入指甲大小芯片，估算电晶体密度约每平方公厘 3.33 亿个电晶体（MTr /mm²）。相较于目前许多笔电和智慧型手机的主流7奈米芯片，2奈米芯片速度快45％，节能效率提高75%。

IBM指出，2奈米制程芯片采用环绕闸极（GAA）技术，比最雪铁龙5 奈米制程芯片面积更小，运算速度更快，预计到2024年底或2025年才会投产，尽管无助于目前全球芯片供货短缺问题，却意谓IBM在制程技术上取得重大突破，也备受各界关注。

中央社报导，工研院产科国际所研究总监杨瑞临表示，台积电3奈米制程仍持续采用鳍式场效电晶体（FinFET）架构，2奈米将改采GAA架构，随著IBM验证了GAA的可行性，预料台积电也将加速2奈米制程开发与量产进度。

杨瑞临认为，IBM成功验证GAA架构的可行性，可望加速三星与台积电GAA技术开发，并带动相关生态系厂商加速发展，对半导体产业而言是件大事，也可能给台积电带来竞争压力，但台积电客户多元，有助于缩短学习曲线、加速提升良率及降低成本，不至于撼动其晶圆代工霸主地位。

(中时新闻网)